文献
J-GLOBAL ID:201702212031758950
整理番号:17A0617151
同時スパッタリング法により作製したBiドープアンチモン亜鉛薄膜の微細構造と室温熱電特性
Micro-structure and Room-Temperature Thermoelectric Properties of Bi-Doped Antimony Zinc Thin Films Fabricated by Co-sputtering Method
著者 (10件):
WEI Meng
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
FAN Ping
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
ZHENG Zhuang-Hao
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
ZHENG Zhuang-Hao
(Shenzhen Key Lab. Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
ZHENG Zhuang-Hao
(Univ. Rennes 1, Rennes, FRA)
,
LUO Jing-Ting
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
LUO Jing-Ting
(Shenzhen Key Lab. Sensor Technol., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Guang-Xing
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
ZHONG Ai-Hua
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
,
YIN Mei-Mei
(Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
5
ページ:
3057-3061
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)