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文献
J-GLOBAL ID:201702212055002971   整理番号:17A1046983

横方向に成長させるとより良い性能が得られる:ZnOナノロッドネットワークに基づく電界効果トランジスタ

Laterally grown show better performance: ZnO nanorods network based field effect transistors
著者 (5件):
KUMAR Ashish
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
DIXIT Tejendra
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
BHARGAVA Kshitij
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
PALANI I. A.
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
SINGH Vipul
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)

資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)

巻: 28  号: 15  ページ: 11202-11208  発行年: 2017年08月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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