文献
J-GLOBAL ID:201702212055002971
整理番号:17A1046983
横方向に成長させるとより良い性能が得られる:ZnOナノロッドネットワークに基づく電界効果トランジスタ
Laterally grown show better performance: ZnO nanorods network based field effect transistors
著者 (5件):
KUMAR Ashish
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
,
DIXIT Tejendra
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
,
BHARGAVA Kshitij
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
,
PALANI I. A.
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
,
SINGH Vipul
(IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
15
ページ:
11202-11208
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)