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文献
J-GLOBAL ID：201702212170219234
整理番号：17A0415030
0.18μm-CMOSにおける注入同期CDRの回路設計段階に対する行動モデリング【Powered by NICT】
Behavioral modeling to circuit design steps of an injection locked CDR in 0.18μm-CMOS
Weilin Xu
(Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, 541004, China)
,
Di Wu
(Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, 541004, China)
,
Chaoyong Zhu
(Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, 541004, China)
,
Jihai Duan
(Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, 541004, China)
,
Baolin Wei
(Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, 541004, China)
,
Xueming Wei
(Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, 541004, China)
,
Fabi Zhang
(Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, 541004, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ASID ページ： 96-99 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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