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文献
J-GLOBAL ID：201702212176178723
整理番号：17A0759444
AlGaN/GaNH EMTにおける素子分離のための中性ビームエッチング【Powered by NICT】
Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs
Hemmi Fuyumi
(Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
,
Thomas Cedric
(Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
,
Lai Yi-Chun
(Advanced Institute of Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
,
Higo Akio
(Advanced Institute of Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
,
Guo Alex
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Warnock Shireen
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139, USA)
,
del Alamo Jesus A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Samukawa Seiji
(Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
,
Samukawa Seiji
(Advanced Institute of Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
,
Otsuji Taiichi
(Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
,
Suemitsu Tetsuya
(Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 3 ページ： ROMBUNNO.201600617 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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