文献
J-GLOBAL ID:201702212191417249
整理番号:17A1054449
LiZnAs半導体材料のバルク結晶成長と高分解能X線回折結果
Bulk Crystal Growth, and High-Resolution X-ray Diffraction Results of LiZnAs Semiconductor Material
著者 (7件):
MONTAG Benjamin W.
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
REICHENBERGER Michael A.
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
SUNDER Madhana
(Bruker AXS Inc, WI, USA)
,
UGOROWSKI Philip B.
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
NELSON Kyle A.
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
HENSON Luke C.
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
MCGREGOR Douglas S.
(Kansas State Univ., KS, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
8
ページ:
4875-4882
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)