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J-GLOBAL ID:201702212257698133   整理番号:17A0697386

PINアモルファスシリコン薄膜太陽電池のためのn型層としてPをドープしたけい素に富むSiN_x膜の微細構造と光電的性質【Powered by NICT】

Microstructure and photoelectric properties of P-doped silicon-rich SiNx film as an n-type layer for PIN-type amorphous silicon thin film solar cells
著者 (8件):
Ma Deng-Hao
(Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)
Zhang Wei-Jia
(Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)
Jiang Zhao-Yi
(Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)
Ma Qiang
(Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)
Ma Xiao-Bo
(Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)
Fan Zhi-Qiang
(Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)
Song Deng-Yuan
(Yingli Solar, 3399 Chaoyang North Street, Baoding, China)
Zhang Lei
(Yingli Solar, 3399 Chaoyang North Street, Baoding, China)

資料名:
Solar Energy  (Solar Energy)

巻: 144  ページ: 808-817  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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