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文献
J-GLOBAL ID：201702212262205119
整理番号：17A1020068
人工設計された欠陥を用いた太陽電池のための結晶性Siにおける不純物分布【Powered by NICT】
Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects
Hayama Yusuke
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan)
,
Takahashi Isao
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan)
,
Usami Noritaka
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 468 ページ： 610-613 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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