文献
J-GLOBAL ID:201702212306870094
整理番号:17A0027163
シリコン上に成長したAlInN/GaN HEMTに基づくWバンドMMIC増幅器
$W$ -Band MMIC Amplifiers Based on AlInN/GaN HEMTs Grown on Silicon
著者 (6件):
Marti Diego
(Millimeter-Wave Electronics Group, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Lugani Lorenzo
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland)
,
Carlin Jean-Francois
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland)
,
Malinverni Marco
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland)
,
Grandjean Nicolas
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland)
,
Bolognesi C. R.
(Millimeter-Wave Electronics Group, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
8
ページ:
1025-1028
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)