文献
J-GLOBAL ID:201702212308954115
整理番号:17A0389294
ジスプロシウム(III)単イオン磁石(SIM)の磁気的性質と緩和動力学の変調に及ぼす配位子場微調整:合成,構造,磁性とab initio計算【Powered by NICT】
Ligand field fine-tuning on the modulation of the magnetic properties and relaxation dynamics of dysprosium(iii) single-ion magnets (SIMs): synthesis, structure, magnetism and ab initio calculations
著者 (9件):
Zhang Sheng
(Key Laboratory of Synthetic and Natural Functional Molecule Chemistry of Ministry of Education, College of Chemistry and Materials Science, Northwest University, Xi’an, Shaanxi 710069, China. sanpingchen@126.com rayinyin@nwu.edu.cn)
,
Wu Haipeng
,
Sun Lin
,
Ke Hongshan
,
Chen Sanping
,
Yin Bing
,
Wei Qing
,
Yang Desuo
,
Gao Shengli
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
6
ページ:
1369-1382
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)