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文献
J-GLOBAL ID：201702212334507639
整理番号：17A1554094
エーロゾル支援化学蒸着(AACVD)によるReドープMoS_2(Mo_1 xRe_xS_2)薄膜へのレニウム取込に及ぼす前駆体の影響【Powered by NICT】
The influence of precursor on rhenium incorporation into Re-doped MoS2 (Mo1-xRexS2) thin films by aerosol-assisted chemical vapour deposition (AACVD)
Al-Dulaimi Naktal
(School of Chemistry, The University of Manchester, Oxford Road, M13 9PL, UK. Paul.O’Brien@manchester.ac.uk)
,
Lewis Edward A.
,
Savjani Nicky
,
McNaughter Paul D.
,
Haigh Sarah J.
,
Malik M. Azad
,
Lewis David J.
,
O’Brien Paul
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 35 ページ： 9044-9052 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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