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文献
J-GLOBAL ID：201702212482060289
整理番号：17A0855285
n型Siの表面処理の影響:Pおよびp型SiGe低抵抗けい化物接触に及ぼすB半導体【Powered by NICT】
Impact of surface preparation for n-type Si:P and p-type SiGe:B semiconductors on low resistance silicide contacts
Carr A.
(IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Peethala B.
(IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Raymond M.
(GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Adusumilli P.
(IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Kamineni V.
(GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Niu C.
(GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Arceo De La Pena A.
(IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Canaperi D.F.
(IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
,
Siddiqui S.
(GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 173 ページ： 22-26 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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