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文献
J-GLOBAL ID：201702212588736706
整理番号：17A0446084
Li-N共ドープZnSnO薄膜トランジスタの電気特性に及ぼすポストアニーリング温度の調製と効果【Powered by NICT】
Preparation and effects of post-annealing temperature on the electrical characteristics of Li-N co-doped ZnSnO thin film transistors
Dai Shiqian
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Wang Tao
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Li Ran
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Zhou Dongzhan
(China Building Materials Academy, Beijing 100024, China)
,
Peng Yunfei
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Wang Hailong
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Zhang Xiqing
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Wang Yongsheng
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 43 号： 6 ページ： 4926-4929 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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