文献
J-GLOBAL ID:201702212595171848
整理番号:17A0776062
太陽電池におけるp-n接合を介した前面接触の侵入によって引起された特異的シャント抵抗を特性化するための新しいアプローチ【Powered by NICT】
Novel approach for characterizing the specific shunt resistance caused by the penetration of the front contact through the p-n junction in solar cell
著者 (2件):
Zhang Lucheng
(Institute for Solar Energy Systems, Sun Yat-Sen University)
,
Shen Hui
(Institute for Solar Energy Systems, Sun Yat-Sen University)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
30
号:
7
ページ:
65-67
発行年:
2009年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)