文献
J-GLOBAL ID:201702212644792940
整理番号:17A0703450
HfO_xベース抵抗ランダムアクセスメモリにおける動的コンダクタンス特性【Powered by NICT】
Dynamic conductance characteristics in HfOx-based resistive random access memory
著者 (10件):
Chen Ying-Chen
(Microelectronics Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA. yingchenchen@utexas.edu)
,
Chang Yao-Feng
,
Wu Xiaohan
,
Zhou Fei
,
Guo Meiqi
,
Lin Chih-Yang
,
Hsieh Cheng-Chih
,
Fowler Burt
,
Chang Ting-Chang
,
Lee Jack C.
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
21
ページ:
12984-12989
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)