文献
J-GLOBAL ID:201702212954675963
整理番号:17A1955658
Operando硬X線光電子分光法による金属/HfO2ゲート積層構造におけるバイアス依存性電位分布の直接的な観察
Direct observation of bias-dependence potential distribution in metal/HfO2 gate stack structures by operando hard x-ray photoelectron spectroscopy
著者 (3件):
YAMASHITA Yoshiyuki
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
YOSHIKAWA Hideki
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
CHIKYOW Toyohiro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名:
Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)
(Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM))
巻:
8th
ページ:
ROMBUNNO.6pA2-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
L8395B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)