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文献
J-GLOBAL ID：201702213254964368
整理番号：17A0164315
異なるパッケージ材料における中出力GANベースLEDデバイスの老化解析【JST・京大機械翻訳】
Degradation Analysis of Mid-power GaN-based LEDs with Different Package Materials
Fu Jiaiia
(Semiconductor Lighting Research & Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Cao Haicheng
(Semiconductor Lighting Research & Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Zhao Lixia
(Semiconductor Lighting Research & Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Junxi
(Semiconductor Lighting Research & Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Li Jinmin
(Semiconductor Lighting Research & Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 37 号： 10 ページ： 1230-1236 発行年： 2016年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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