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文献
J-GLOBAL ID：201702213303315304
整理番号：17A0825939
バーストモードを含むモバイルCPU動作のためのIII-V族FETのための新しい方向:In_0 35Ga_0Ga0.65Asチャネル【Powered by NICT】
A New Direction for III-V FETs for Mobile CPU Operation Including Burst-Mode: In0.35Ga0.65As Channel
Rakshit T.
(Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA)
,
Obradovic B.
(Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA)
,
Wang W.-E.
(Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA)
,
Kim W.-H.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Shin K.-M.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Baek S.-C.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Lee S.-W.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Kim S.-H.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Lee J.-M.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Kim D.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Hoover A.
(Samsung Austin R&D, Austin, TX, USA)
,
Song W.-B.
(Samsung, Seoul, South Korea)
,
Cantoro M.
(Samsung, Seoul, South Korea)
,
Heo Y.-C.
(Samsung, Seoul, South Korea)
,
Rooyackers R.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Ardila S. C.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Vais A.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Lin D.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Collaert N.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Rodder M. S.
(Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 3 ページ： 314-317 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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