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文献
J-GLOBAL ID：201702213431611984
整理番号：17A0852399
アモルファスカーボン抵抗ランダムアクセスメモリに及ぼすアンモニアの影響【Powered by NICT】
Influence of Ammonia on Amorphous Carbon Resistive Random Access Memory
Chen Wen-Chung
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Tsai Tsung-Ming
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chang Kuan-Chang
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chen Hsin-Lu
(Department of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Shih Chih-Cheng
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Yang Chih-Cheng
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Lin Jiun-Chiu
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Lin Yu-Shuo
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Su Yu-Ting
(Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chen Po-Hsun
(Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 4 ページ： 453-456 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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