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文献
J-GLOBAL ID：201702213438570159
整理番号：17A1727311
量子補正されたBoltzmann輸送方程式によるGeとSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力の解析【Powered by NICT】
Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation
Tanaka Hajime
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Suda Jun
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Kimoto Tsunenobu
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： SISPAD ページ： 277-280 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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