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文献
J-GLOBAL ID：201702213467815956
整理番号：17A0848465
ミストCVD法による立方晶MgO(111)およびイットリア安定化ジルコニア(111)基板上のε-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) MgO and (111) yttria-stablized zirconia substrates by mist chemical vapor deposition
NISHINAKA Hiroyuki
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
,
TAHARA Daisuke
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
,
YOSHIMOTO Masahiro
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 12 ページ： 1202BC.1-1202BC.4 発行年： 2016年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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