文献
J-GLOBAL ID:201702213499909787
整理番号:17A0168287
HゲートSOI NMOSデバイスのしきい値電圧に及ぼす全線量照射の影響【Powered by NICT】
Effects of total dose irradiation on the threshold voltage of H-gate SOI NMOS devices
著者 (6件):
Wang Qianqiong
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Liu Hongxia
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Chen Shupeng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Wang Shulong
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Fei Chenxi
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhao Dongdong
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Hejishu(Yingwenban)
(Hejishu(Yingwenban))
巻:
27
号:
5
ページ:
117-1-117-7
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2619A
ISSN:
1001-8042
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)