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文献
J-GLOBAL ID:201702213499909787   整理番号:17A0168287

HゲートSOI NMOSデバイスのしきい値電圧に及ぼす全線量照射の影響【Powered by NICT】

Effects of total dose irradiation on the threshold voltage of H-gate SOI NMOS devices
著者 (6件):
Wang Qianqiong
(School of Microelectronics, Xidian University)
Liu Hongxia
(School of Microelectronics, Xidian University)
Chen Shupeng
(School of Microelectronics, Xidian University)
Wang Shulong
(School of Microelectronics, Xidian University)
Fei Chenxi
(School of Microelectronics, Xidian University)
Zhao Dongdong
(School of Microelectronics, Xidian University)

資料名:
Hejishu(Yingwenban)  (Hejishu(Yingwenban))

巻: 27  号:ページ: 117-1-117-7  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2619A  ISSN: 1001-8042  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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