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文献
J-GLOBAL ID：201702213523285501
整理番号：17A0365984
単結晶SiCウエハ上に堆積したSi薄膜からの高品質SiCナノワイヤの自己組織化成長【Powered by NICT】
Self-assembly growth of high-quality SiC nanowires from Si thin films deposited on single-crystalline SiC wafers
Kim Byeong Geun
(School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education, Cheonan 330-708, Korea)
,
Kim Byeong Geun
(Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea)
,
Kim Byung-Sung
(Department of Engineering Science, University of Oxford, Oxford OX1 3PJ, UK)
,
Choi Soon-Mok
(School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education, Cheonan 330-708, Korea)
,
Lee Ji Eun
(Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea)
,
Jeong Seong-Min
(Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea)
,
Lee Myung-Hyun
(Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea)
,
Seo Won-Seon
(Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 42 号： 16 ページ： 18955-18959 発行年： 2016年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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