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文献
J-GLOBAL ID：201702213551784777
整理番号：17A0289446
CF4/Arプラズマにおける炭素をドープしたGe2Sb2Te5(CGST)相変化材料の反応性イオンエッチング効果
Reactive ion etching effects on carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material in CF4/Ar plasma
SHEN Lanlan
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
SHEN Lanlan
(Graduate School., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
SONG Sannian
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
SONG Zhitang
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
LI Le
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
GUO Tianqi
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
LIU Bo
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
WU Liangcai
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
CHENG Yan
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
,
FENG Songlin
(Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 9818 ページ： 98180M.1-98180M.4 発行年： 2016年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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