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文献
J-GLOBAL ID：201702213644231938
整理番号：17A1632976
ドープした半導性単層カーボンナノチューブ薄膜からの大きなnおよびp型熱起電力因子【Powered by NICT】
Large n- and p-type thermoelectric power factors from doped semiconducting single-walled carbon nanotube thin films
MacLeod Bradley A.
(Chemistry and Nanoscience Center, National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA. jeffrey.blackburn@nrel.gov andrew.ferguson@nrel.gov)
,
Stanton Noah J.
,
Gould Isaac E.
,
Wesenberg Devin
,
Ihly Rachelle
,
Owczarczyk Zbyslaw R.
,
Hurst Katherine E.
,
Fewox Christopher S.
,
Folmar Christopher N.
,
Holman Hughes Katherine
,
Zink Barry L.
,
Blackburn Jeffrey L.
,
Ferguson Andrew J.
資料名：
Energy & Environmental Science
(Energy & Environmental Science)
巻： 10 号： 10 ページ： 2168-2179 発行年： 2017年
JST資料番号： W2306A ISSN： 1754-5692 CODEN： EESNBY 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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