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J-GLOBAL ID：201702213797073295 整理番号：17A0364010

シリコン貫通電極の熱機械的安定性に及ぼす初期熱応力とひずみ効果【Powered by NICT】

Initial thermal stress and strain effects on thermal mechanical stability of through silicon via

著者 (7件)：

Sun Yunna

(National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China)

,

Sun Shi

(National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China)

,

Zhang Yazhou

(National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China)

,

Luo Jiangbo

(National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China)

,

Wang Yan

(National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China)

,

Ding Guifu

(National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dong Chuan Road 800, Shanghai 200240, China)

,

Jin Yufeng

(National Key Lab of Micro/Nanometer Fabrication Technology, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)

資料名：

Microelectronic Engineering (Microelectronic Engineering)

巻： 165 ページ： 11-19 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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