文献
J-GLOBAL ID:201702213851284383
整理番号:17A0705483
原子層堆積したSnO膜を用いた高性能p型薄膜トランジスタの作製【Powered by NICT】
Fabrication of high-performance p-type thin film transistors using atomic-layer-deposited SnO films
著者 (9件):
Kim Soo Hyun
(Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, South Korea. s.k.kim@kist.re.kr)
,
Baek In-Hwan
,
Kim Da Hye
,
Pyeon Jung Joon
,
Chung Taek-Mo
,
Baek Seung-Hyub
,
Kim Jin-Sang
,
Han Jeong Hwan
,
Kim Seong Keun
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
12
ページ:
3139-3145
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)