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文献
J-GLOBAL ID：201702213877156544
整理番号：17A0318096
次世代EUVリソグラフィーのための低活性化エネルギーに基づくnonchemically増幅レジスト(n CARs)の設計と開発【Powered by NICT】
Design and development of low activation energy based nonchemically amplified resists (n-CARs) for next generation EUV lithography
Sharma Satinder K.
(School of Computing and Electrical Engineering (SCEE), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
,
Pal Satyendra Prakash
(School of Computing and Electrical Engineering (SCEE), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
,
Pal Satyendra Prakash
(School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
,
Reddy Pulikanti Guruprasad
(School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
,
Kumar Pawan
(School of Computing and Electrical Engineering (SCEE), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
,
Ghosh Subrata
(School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
,
Gonsalves Kenneth E.
(School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 164 ページ： 115-122 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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