文献
J-GLOBAL ID:201702214073287987
整理番号:17A0090019
InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
Effect of Drain-Side Recess Length on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs
著者 (9件):
遠藤聡
(情報通信研究機構)
,
渡邊一世
(情報通信研究機構)
,
笠松章史
(情報通信研究機構)
,
高橋剛
(富士通研)
,
芝祥一
(富士通研)
,
中舍安宏
(富士通研)
,
岩井大介
(富士通研)
,
三村高志
(情報通信研究機構)
,
三村高志
(富士通研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
116
号:
375(ED2016 80-95)
ページ:
7-12
発行年:
2016年12月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)