文献
J-GLOBAL ID:201702214123394560
整理番号:17A0953395
低温での軟X線照射によるSiOx中でのナノ結晶シリコンの生成
Formation of nanocrystalline silicon in SiOx by soft X-ray irradiation at low temperature
著者 (6件):
HEYA Akira
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
KUSAKABE Fumito
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
MATSUO Naoto
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
KANDA Kazuhiro
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
KOHAMA Kazuyuki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ITO Kazuhiro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
3
ページ:
035501.1-035501.5
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)