文献
J-GLOBAL ID:201702214162722006
整理番号:17A1996590
Analysis and Modeling of Drain-Induced Barrier Lowering Variation Induced by Random Dopants in Nanometer MOSFET Channel
著者 (3件):
LUE Wei-Feng
(Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN)
,
WANG Guang-Yi
(Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN)
,
SUN Ling-Ling
(Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN)
資料名:
Nanoscience and Nanotechnology Letters
(Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻:
9
号:
8
ページ:
1213-1216
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
W2373A
ISSN:
1941-4900
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)