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文献
J-GLOBAL ID：201702214175139588
整理番号：17A1676509
MPCVD法によるホモエピタキシャル成長単結晶ダイヤモンド【JST・京大機械翻訳】
Homoepitaxial growth of single crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition
Yan Lei
(武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073)
,
Ma Zhibin
(武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073)
,
Chen Lin
(武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073)
,
Fu Qiuming
(武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073)
,
Wu Chao
(武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073)
,
Gao Pan
(武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073)
資料名：
Xinxing Tan Cailiao
(Xinxing Tan Cailiao)
巻： 32 号： 1 ページ： 92-96 発行年： 2017年
JST資料番号： W1529A ISSN： 1007-8827 CODEN： XTCAFT 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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