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文献
J-GLOBAL ID：201702214209511190
整理番号：17A0539901
200mmの基板を通してのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造の構造的,光学的および電気的特性
Investigation of structural, optical, and electrical characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure across a 200 mm Si(1 1 1) substrate
PEROZEK J
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
,
PEROZEK J
(Innovative COmpound semiconductoR (ICOR) Lab., IL, USA)
,
LEE H-P
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
,
LEE H-P
(Innovative COmpound semiconductoR (ICOR) Lab., IL, USA)
,
KRISHNAN B
(Veeco Instruments Inc., NJ, USA)
,
PARANJPE A
(Veeco Instruments Inc., NJ, USA)
,
REUTER K B
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
SADANA D K
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
BAYRAM C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
,
BAYRAM C
(Innovative COmpound semiconductoR (ICOR) Lab., IL, USA)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50 号： 5 ページ： 055103,1-8 発行年： 2017年02月08日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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