文献
J-GLOBAL ID:201702214227724597
整理番号:17A0881116
SiO_2~をドープしたSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミックバリスタの微細構造と電気的性質に及ぼすSm_2O_3の影響【Powered by NICT】
The effect of Sm2O3 on the microstructure and electrical properties of SiO2-doped SnO2-Zn2SnO4 ceramic varistors
著者 (4件):
Zang Guo-Zhong
(School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China)
,
Wang Xiao-Fei
(School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China)
,
Li Li-Ben
(School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China)
,
Wang Dan-Dan
(School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China)
資料名:
Ceramics International
(Ceramics International)
巻:
43
号:
11
ページ:
8018-8022
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0705A
ISSN:
0272-8842
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)