文献
J-GLOBAL ID:201702214248631988
整理番号:17A0686008
Si,SiO2とSi3N4エッチングプロセス中のフッ素ラジカル多層吸着メカニズムについて分子動力学研究
Molecular dynamics study on fluorine radical multilayer adsorption mechanism during Si, SiO2, and Si3N4 etching processes
著者 (4件):
NUMAZAWA Satoshi
(Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN)
,
MACHIDA Ken
(Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN)
,
ISOBE Michiro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HAMAGUCHI Satoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
11
ページ:
116204.1-116204.6
発行年:
2016年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)