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文献
J-GLOBAL ID：201702214273666662
整理番号：17A0055063
a-InGaZnO薄膜トランジスタを用いた低ドロップアウトレギュレータの設計【Powered by NICT】
Design of low-dropout regulator using a-InGaZnO thin-film transistors
Kim Yongchan
(MEMS Display and Sensor Laboratory, School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea)
,
Lee Hojin
(MEMS Display and Sensor Laboratory, School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： APCCAS ページ： 546-547 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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