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文献
J-GLOBAL ID：201702214282058196
整理番号：17A1392357
シリコンにおける残留応力への電解グラフト化高分子絶縁体を用いた高アスペクト比TSVの湿式メタライゼーション【Powered by NICT】
Wet Metallization of High Aspect Ratio TSV Using Electrografted Polymer Insulator to Suppress Residual Stress in Silicon
Dequivre Thomas
(Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique, University of Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada)
,
Kolhatkar Gitanjali
(Institut National de la Recherche Scientifique, Varennes, QC, Canada)
,
Hadj Youssef Azza
(Institut National de la Recherche Scientifique, Varennes, QC, Canada)
,
Le Xuan T.
(Teledyne Dalsa, Bromont, QC, Canada)
,
Brisard Gessie M.
(Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique, University of Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada)
,
Ruediger Andreas
(Institut National de la Recherche Scientifique, Varennes, QC, Canada)
,
Charlebois Serge A.
(Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique, University of Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 17 号： 3 ページ： 514-521 発行年： 2017年
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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