文献
J-GLOBAL ID:201702214565733170
整理番号:17A0776122
γLiAIO_2基板上にHVPE法によるm面GaN膜における異方性の解析【Powered by NICT】
Analysis of the anisotropy in an m-plane GaN film via HVPE on a γ-LiAIO_2 substrate
著者 (8件):
Tian Mi
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Xiu Xiangqian
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Zhang Rong
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Hua Xuemei
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Liu Zhanhui
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Han Ping
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Xie Zie
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Zheng Youdou
(Department of Physics, Nanjing University)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
30
号:
9
ページ:
13-15
発行年:
2009年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)