文献
J-GLOBAL ID:201702214716988949
整理番号:17A0703622
ヘテロエピタキシャルInGaAs/GaAs二分子層を介したSiプラットフォーム上の一軸歪,巻いた単層CVDグラフェンの実現【Powered by NICT】
Realization of uniaxially strained, rolled-up monolayer CVD graphene on a Si platform via heteroepitaxial InGaAs/GaAs bilayers
著者 (6件):
Mao Guoming
(State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China. wangqi@bupt.edu.cn)
,
Wang Qi
,
Chai Zhaoer
,
Liu Hao
,
Liu Kai
,
Ren Xiaomin
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
24
ページ:
14481-14486
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)