文献
J-GLOBAL ID:201702214751378676
整理番号:17A0914674
高周波信号パッド下のSi基板中の電力散逸の温度依存性【Powered by NICT】
Temperature dependence of power dissipation in the Si substrate under the high-frequency signal pad
著者 (2件):
Shibata Tsugumichi
(Tokyo City University, Department of Information and Communication Engineering, Faculty of Knowledge Engineering, 1-28-1 Tamazutsumi, Setagaya, Tokyo, 158-8557 Japan)
,
Ichikawa Daichi
(Tokyo City University, Department of Information and Communication Engineering, Faculty of Knowledge Engineering, 1-28-1 Tamazutsumi, Setagaya, Tokyo, 158-8557 Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICCEM
ページ:
18-20
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)