文献
J-GLOBAL ID:201702214777398178
整理番号:17A0937563
エネルギーハーベスティング応用のための広角度ブラックシリコンの効率的作製方法論【Powered by NICT】
Efficient fabrication methodology of wide angle black silicon for energy harvesting applications
著者 (3件):
Gouda Abdelaziz M.
(Department of Physics, American University in Cairo, New Cairo 11835, Egypt. Abdelaziz@aucegypt.edu)
,
Allam Nageh K.
,
Swillam Mohamed A.
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
43
ページ:
26974-26982
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)