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文献
J-GLOBAL ID:201702215018191147   整理番号:17A0414175

高出力InP系導波路集積修正単一走行キャリアフォトダイオード【Powered by NICT】

High-Power InP-Based Waveguide Integrated Modified Uni-Traveling-Carrier Photodiodes
著者 (9件):
Zhou Gan
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute, Berlin, Germany)
Runge Patrick
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute, Berlin, Germany)
Keyvaninia Shahram
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute, Berlin, Germany)
Seifert Sten
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute, Berlin, Germany)
Ebert Willi
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute, Berlin, Germany)
Mutschall Sven
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute, Berlin, Germany)
Seeger Angela
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute, Berlin, Germany)
Li Qinglong
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
Beling Andreas
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA, USA)

資料名:
Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)

巻: 35  号:ページ: 717-721  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0922A  ISSN: 0733-8724  CODEN: JLTEDG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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