文献
J-GLOBAL ID:201702215049547740
整理番号:17A1220742
有機金属気相エピタキシによってパルスレーザ蒸着AlN/GaNテンプレート上に成長したGaNの極性制御
Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy
著者 (7件):
YOO Jinyeop
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHOJIKI Kanako
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TANIKAWA Tomoyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KUBOYA Shigeyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HANADA Takashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KATAYAMA Ryuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MATSUOKA Takashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
5S
ページ:
05FA04.1-05FA04.5
発行年:
2016年05月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)