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文献
J-GLOBAL ID：201702215101548238
整理番号：17A0385839
窒化したc面とa面のサファイア基板上のAlNのヘテロエピタクシー機構
Heteroepitaxy mechanisms of AlN on nitridated c- and a-plane sapphire substrates
Funato Mitsuru
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
,
Shibaoka Mami
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
,
Kawakami Yoichi
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 8 ページ： 085304-085304-7 発行年： 2017年02月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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