前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702215229476593
整理番号：17A1544951
600V込p-ゲートGaNH EMTの電気的および熱的破壊モード【Powered by NICT】
Electrical and thermal failure modes of 600V p-gate GaN HEMTs
Oeder Thorsten
(Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Emil-Figge-Strasse 68, Dortmund 44227, Germany)
,
Oeder Thorsten
(Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC), University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom)
,
Castellazzi Alberto
(Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC), University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom)
,
Pfost Martin
(Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Emil-Figge-Strasse 68, Dortmund 44227, Germany)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 76-77 ページ： 321-326 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。