前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702215283841354
整理番号：17A0055439
の擬鉛直GaNベースのトレンチゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ【Powered by NICT】
Pseudo-vertical GaN-based trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor
Hentschel Rico
(Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany)
,
Wachowiak Andre
(Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany)
,
Groser Andreas
(Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany)
,
Jahn Andreas
(Institute of Semiconductors and Microsystems, TU Dresden, 01187 Dresden, Germany)
,
Merkel Ulrich
(Institute of Semiconductors and Microsystems, TU Dresden, 01187 Dresden, Germany)
,
Wille Ada
(GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany)
,
Kalisch Holger
(GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany)
,
Vescan Andrei
(GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany)
,
Schmult Stefan
(Institute of Semiconductors and Microsystems, TU Dresden, 01187 Dresden, Germany)
,
Mikolajick Thomas
(Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ASDAM ページ： 5-8 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。