文献
J-GLOBAL ID:201702215373210427
整理番号:17A1811543
ScAlMgO4基板上の厚いGaN膜のハロゲン化物気相エピタクシー,および,自立ウェハ製造用の自己分離
Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers
著者 (6件):
OHNISHI Kazuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KANOH Masaya
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
TANIKAWA Tomoyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KUBOYA Shigeyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MUKAI Takashi
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
MATSUOKA Takashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
10
号:
10
ページ:
101001.1-101001.4
発行年:
2017年10月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)