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文献
J-GLOBAL ID：201702215373210427
整理番号：17A1811543
ScAlMgO4基板上の厚いGaN膜のハロゲン化物気相エピタクシー,および,自立ウェハ製造用の自己分離
Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers
OHNISHI Kazuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KANOH Masaya
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
TANIKAWA Tomoyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KUBOYA Shigeyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MUKAI Takashi
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
MATSUOKA Takashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 10 号： 10 ページ： 101001.1-101001.4 発行年： 2017年10月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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