文献
J-GLOBAL ID:201702215417765405
整理番号:17A0362441
28nmと14nm UTBB FDSOIノードにおける信頼性適応ボディバイアス方式と性能【Powered by NICT】
Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28nm & 14nm UTBB FDSOI nodes
著者 (6件):
Ndiaye C.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Ndiaye C.
(IM2NP-ISEN, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France)
,
Huard V.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Federspiel X.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Cacho F.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Bravaix A.
(IM2NP-ISEN, UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
64
ページ:
158-162
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)