文献
J-GLOBAL ID:201702215420494595
整理番号:17A0574982
単結晶有機Mott-FETのドーピング駆動による金属-絶縁体転移における臨界挙動
Critical Behavior in Doping-Driven Metal-Insulator Transition on Single-Crystalline Organic Mott-FET
著者 (7件):
SATO Yoshiaki
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
KAWASUGI Yoshitaka
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
SUDA Masayuki
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
SUDA Masayuki
(Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN)
,
YAMAMOTO Hiroshi M.
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
YAMAMOTO Hiroshi M.
(Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN)
,
KATO Reizo
(RIKEN, Saitama, JPN)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
17
号:
2
ページ:
708-714
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)