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文献
J-GLOBAL ID：201702215431574960
整理番号：17A1810820
Al2O3(0001)上に堆積したSnをドープしたIn2O3下部電極を用いた(Pb,La)(Zr,Ti)O3コンデンサの作製と電気特性
Fabrication and electrical properties of a (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitor with pulsed laser deposited Sn-doped In2O3 bottom electrode on Al2O3(0001)
TAKADA Yoko
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
TAMANO Rika
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
OKAMOTO Naoki
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
SAITO Takeyasu
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
YOSHIMURA Takeshi
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
FUJIMURA Norifumi
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
HIGUCHI Koji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KITAJIMA Akira
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 7S2 ページ： 07KC02.1-07KC02.4 発行年： 2017年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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