文献
J-GLOBAL ID:201702215523002813
整理番号:17A1454151
新しい2側水素化物気相エピタキシャル成長による10~6cm~ 2範囲における超低転位密度の大型平面窒化ガリウムテンプレートの作製【Powered by NICT】
Fabrication of large flat gallium nitride templates with extremely low dislocation densities in the 106 cm-2 range by novel two-side hydride vapor-phase epitaxial growth
著者 (2件):
Fujikura Hajime
(SCIOCS Co. Ltd., 880 Isagozawa-cho, Hitachi, Ibaraki 319-1418, Japan)
,
Konno Taichiro
(SCIOCS Co. Ltd., 880 Isagozawa-cho, Hitachi, Ibaraki 319-1418, Japan)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
475
ページ:
208-215
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)